电子元器件老化试验办法电子元器件老化试验办法最新法兰蝶阀
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1、对于工艺制造过程中可能存在的一系列缺陷,如表面沾污、引线焊接不良、沟道漏电、硅片裂纹、氧化层缺陷和局部发热点等都有较好的筛选效果。对于无缺陷的元器件,老化也可促使其电参数稳定。半导体器件常用的老化筛选方法。常温静态功率老化就是使器件处在室温下老化。半导体的PN结处于正偏导通状态,器件老化所需要的热应力,是由器件本身所消耗的功率转换而来的。
2、由于器件在老化过程中受到电、热的综合作用,器件内部的各种物理、化学反应过程被加速,促使其潜在缺陷提前暴露,从而把有缺陷的器件剔除。这种老化方法无需高温设备,操作也很简便,因此被普遍采用。在器件的安全范围内,适当加大老化功率(提高器件结温)可以收到更好的老化效果,并且可以缩短老化时间。
电子元器件老化试验办法相关拓展
电子元器件老化试验办法最新
为了使老化取得满意的效果,应注意下面几点:。①老化设备应有良好的防自激振荡措施。②给器件施加电压时,要从零开始缓慢地增加,去电压时也要缓慢地减小,否则电源电压的突变所产生的瞬间脉冲可能会损伤器件。老化后要在标准或规范规定的时间内及时测量,否则某些老化时超差的参数会恢复到原来的数值。③为保证晶体管能在结温下老化,应准确测量晶体管热阻。
对于集成电路来说,由于其工作电压和工作电流都受到较大的限制,自身的结温温升很少,如不提高环境温度很难达到有效地老化所需的温度。常温静态功率老化只在部分集成电路(线性电路和数字电路)中应用。高温静态功率老化的加电方式及试验电路形式均与常温静态功率老化相同,区别在于前者在较高的环境温度下进行。
电子元器件老化试验办法规定
为了使老化取得满意的效果,应注意下面几点:。①老化设备应有良好的防自激振荡措施。②给器件施加电压时,要从零开始缓慢地增加,去电压时也要缓慢地减小,否则电源电压的突变所产生的瞬间脉冲可能会损伤器件。老化后要在标准或规范规定的时间内及时测量,否则某些老化时超差的参数会恢复到原来的数值。③为保证晶体管能在结温下老化,应准确测量晶体管热阻。
对于集成电路来说,由于其工作电压和工作电流都受到较大的限制,自身的结温温升很少,如不提高环境温度很难达到有效地老化所需的温度。常温静态功率老化只在部分集成电路(线性电路和数字电路)中应用。高温静态功率老化的加电方式及试验电路形式均与常温静态功率老化相同,区别在于前者在较高的环境温度下进行。
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